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主題 : 華南理工半導體器件與物理考博大綱
級別: 初級博友
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樓主  發表于: 2015-04-24   
來源于 考博資料 分類

華南理工半導體器件與物理考博大綱

第一部分： 半導體中的電子狀態 r:g\  
一．理解下列基本概念 kUd]8Ff!  
能級，能級簡并化，共有化運動，能帶（導帶，價帶，滿帶，空帶），禁帶，有效質量，縱向（橫向）有效質量，k空間等能面，本征半導體，本征激發，空穴（重空穴，輕空穴），載流子。 B0@ Tz39=  
二．分析掌握下列基本問題 W+ S~__K  
1．能帶的特點，能帶的雜化，能帶的描述。 Cyg2o<O@  
2．導體，半導體，絕緣體能帶結構的區別。 _,J+b R+b  
3．本征半導體的導電原理。 wMW<lT=;  
4．Si，Ge，GaAs能帶結構的異同點。 ) D@j6r  
第二部分： 半導體中雜質和缺陷能級 h:aa^a~y i  
一．理解下列基本概念 QLd*f[n  
雜質，替位式雜質，間隙式雜質，雜質能級 q1}!O亚洲国产精品va在线观看麻豆