華中科技大學2005年博士研究生入學考試——集成電路原理與設計

華中科技大學2005年博士研究生入學考試——集成電路原理與設計 W.dt:_  
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第一篇MOS 邏輯集成電路 Rniq(FAx  
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MOS晶體管工作原理 v1%uxthW  
1.1 MOS晶體管的結構特點和基本原理 h&`e) a>+  
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1.2 MOS晶體管的閥值電壓分析 tcLnN:  
&K/ya7  
1.3 MOS晶體管的電流方程 7qj9&bEy  
Ttxqf:OMf  
1.4 MOS瞬態特性 PNaay:a|  
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MOS器件按比例縮小 KnsT\>[K  
2.1 按比例縮小理論 s<oNE)xe  
y($%;l   
2.2 高電場效應對按比例縮小器件性能的影響 dHK`eS$sb  
e XfZ5(na  
2.3 不能按比例縮小的參數的影響 A8pIs  
vgUb{D  
2.4 VLSI發展的實際限制 `e(vH` VZ  
d/bEt&  
CMOS IC工藝流程及電路中的寄生效應 du)~kU>l  
3.1 集成電路制作中幾個基本工藝步驟 P@,nA41,j  
NGOqy+Ty{f  
3.2 CMOS IC 工藝流程 d
4nH_?  
GDD '[;  
3.3 CMOS IC 中的寄生效應 tQH+)*  
q-c=nkN3  
CMOS反相器和CMOS傳輸門 Y=?yhAw  
4.1 CMOS反相器的直流特性 ,t`Kv1  
Eh|]i;G%  
4.2 CMOS 反相器的瞬態特性 3:8{"md@2  
ik!..9aB  
4.3 CMOS 反相器的功能 LxpuhvIO  
mZx&Xez_G  
4.4 CMOS反相器設計 D<Zp!J1o  
I =1+h  
4.5 CMOS和NMOS電路性能比較 xia亚洲国产精品va在线观看麻豆