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華南理工半導體器件與物理考博大綱
第一部分： 半導體中的電子狀態 cm q4w&x/
一．理解下列基本概念 >;VZB/ d
能級，能級簡并化，共有化運動，能帶（導帶，價帶，滿帶，空帶），禁帶，有效質量，縱向（橫向）有效質量，k空間等能面，本征半導體，本征激發，空穴（重空穴，輕空穴），載流子。 Vl>KeZ+
二．分析掌握下列基本問題 @gM}&G08
1．能帶的特點，能帶的雜化，能帶的描述。 {+3g*s/HI
2．導體，半導體，絕緣體能帶結構的區別。 A5]yC\*zt
3．本征半導體的導電原理。 '/A X 'U8Y
4．Si，Ge，GaAs能帶結構的異同點。 BN &}g}N
第二部分： 半導體中雜質和缺陷能級 <P@O{Xi+K
一．理解下列基本概念 2^w{Hcf
雜質，替位式雜質，間隙式雜質，雜質能級 oTcf[<
施主雜質，施主能級，正電中心，施主電離，電離能，n型半導體 h~
z}N
P
受主雜質，受主能級，負電中心，受主電離，P型半導體 .])X.7@x
淺能級雜質，深能級雜質，雜質補償，中性雜質 S/RChg_L5
二．分析掌握下列基本問題 VWzuV&;P
1．N型半導體和p型半導體的導電原理 wb h=v;
2．某些雜質在半導體中產生若干個能級的原理 +Yc@<$4
3．雜質的補償原理及其利弊 Z)@[N
6\?
4．位錯在Si?****e）中起施主或受主作用的原理，及其對Eg的影響 6BM$u v4
第三部分：半導體中載流子的統計分布 M-q5Jf m
一．理解下列基本概念 t~) g)=>
熱平衡狀態，熱平衡載流子，費米能級 S 2W@;XvV
非簡化性系統，非簡并半導體，簡并性系統，簡并半導體
M=SrZ,W
有效狀態密度，狀態密度有效質量，多數載流子，少數載流子 {zLgLBM
二．分析掌握下列基本問題 W
)Ps2
1．費米分布函數的性質 Gi2Fjq/Y
2．玻氏分布代替費米分布的條件 _{eA8J(A<
3．導帶電子濃度和價帶空穴濃度表示式分析推導的思想方法 Nw -U*y
4．雜質半導體EF隨雜質濃度變化關系，隨溫度的變化關系
w|*D{`O
5．載流子濃度隨溫度的變化關系
Mm9* $g!R
6．區分半導體載流子出現非簡并，弱簡并，簡并的標準 D";c lP05K
5．各種熱平衡狀態下半導體電中性條件 \ Z5160
三．熟識公式并運用 =A$ d)&
1．費米分布函數表示式 }m7$,'C%P
2．玻氏分布函數表示式 vz1I/IdTd
3．導帶電子濃度，價帶空穴濃度表示式 ^uVPN1}b^@
4．本征載流子濃度表示式，本征費米能級表示式 lIO#)>
5．載流子濃度乘積表示式，及其與本征載流子濃度的關系 2 &_>2"=<@
6．飽和電離溫度區載流子濃度及EF的表示式（n型和p型半導體） lQm7` +
7．過渡溫度區載流子濃度表示式（n-s 和 p-s）
=Mxu,A
8．簡并半導體載流子濃度表示式 ;lhW6;oI'
9．已電離雜質濃度表示式 f;Ijl 亚洲国产精品va在线观看麻豆
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